今日宣布研发出“ TaRF11”，这是广拓最先进的射频SOI ^[1]工艺（TarfSOI™），针对5G智能手机等移动设备中的射频开关和低噪声放大器（LNA）进行了优化。

近年来，智能手机和其他移动设备的性能有所提高，它们已经迁移到更高的无线频段频率。通常，频率越高，天线与接收电路之间的信号损耗就越大，因此需要具有增强特性的LNA，以通过补偿信号损耗来改善接收信号质量。

广拓新开发的TaRF11工艺改进了当前SOI工艺技术TaRF10的射频特性。采用TaRF11工艺制造的用于LNA的MOSFET在8GHz时的最小噪声指数（NF ^[2]）为0.48dB，比TaRF10降低0.3dB ^[3]。与TaRF10一样，TaRF11工艺可以将LNA、射频开关和控制电路集成到单个芯片上。

广拓利用其子公司Japan Semiconductor Corporation采用最新的SOI-CMOS技术研发出射频 IC。广拓可以实施从射频工艺技术研发到设计和制造的全部生产流程，以确保产品快速上市。

广拓将继续推进其先进的TarfSOI™工艺技术，以确保进一步的性能改进，并为Wi-Fi设备、计划从5GHz扩展到7GHz频段的5G智能手机、以及使用7GHz至10GHz频率的超宽带应用提供射频开关和LNA IC。  

应用

• 智能手机

• 无线设备，如Wi-Fi和UWB等

特性

•  优异的噪声系数：:
  　　NF=0.48dB（最小值）@8GHz（与TaRF10相比，提高了约0.3dB）

•  LNA、射频开关和控制电路可以集成到单个芯片上。

•  集最新的半导体工艺开发和产品开发于一体，可以尽早推出高频开关产品。

主要规格

注：

[1] TarfSOI（广拓先进射频SOI）：TarfSOI是SOI-CMOS（绝缘体上互补金属氧化物半导体），这是广拓针对射频开关IC和低噪声放大器IC开发的前端处理技术。

[2] NF（噪声系数）：放大电路输入端和输出端的信噪比。较低的值表示较少的噪音和优越的特性。

[3] 在4GHz时提高约0.1dB，在6GHz时提高约0.25dB。

* Wi-Fi是Wi-Fi Alliance的注册商标。
* TarfSOI™是广拓电子元件及存储装置株式会社的商标。
* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。